ประเภทของแรม (RAM)
แบ่งออกได้เป็น 2 ประเภทใหญ่ๆ คือ
๐ Static RAM (SRAM) ทำจากวงจรที่ใช้เก็บข้อมูลด้วยสถานะ “มีไฟ” กับ “ไม่มีไฟ” ซึ่งสามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ตลอดเวลาตราบเท่าที่ยังมีกระแสไฟฟ้าเลี้ยงวงจรอยู่ นิยมไปใช้ทำเป็นหน่วยความจำแคช (Cache) ภายในตัวซีพียู เพราะมีความเร็วในการทำงานสูงกว่า DRAM มาก แต่ไม่สามารถทำให้มีขนาดความจุสูงๆได้ เนื่องจากราคาแพงและกินกระแสไฟมากจนมักทำให้เกิดความร้อนสูง อีกทั้งวงจรก็ยังมีขนาดใหญ่ด้วย
๐ Dynamic RAM (DRAM) ทำจากวงจรที่ใช้การเก็บข้อมูลด้วยสถานะ “มีประจุ” กับ “ไม่มีประจุ” ซึ่งวิธีนี้จะใช้พลังงานไฟฟ้าน้อยกว่า SRAM มาก แต่โดยธรรมชาติแล้วประจุไฟฟ้าจะมีการรั่วไหลออกไปได้เรื่อยๆ ดังนั้นเพื่อให้ DRAM สามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ตลอดเวลาตราบใดที่ยังมีกระแสไฟเลี้ยงวงจรอยู่ จึงต้องมีวงจรอีกส่วนหนึ่งคอยทำหน้าที่ “เติมประจุ” ไฟฟ้าให้เป็นระยะๆ ซึ่งเรียกกระบวนการเติมประจุไฟฟ้านี้ว่าการ รีเฟรช (Refresh) หน่วยความจำประเภท DRAM นี้ นิยมนำไปใช้ทำเป็นหน่วยความจำหลักของระบบในรูปแบบของชิปอที (Integrated Circuit) บนแผงโมดูลของหน่วยความจำ RAM หลากหลายชนิด เช่น SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 และ RDRAM เป็นต้น โดยสามารถออกแบบให้มีขนาดความจุสูงๆได้ กินไฟน้อย และไม่เกิดความร้อนสูง
แบ่งออกได้เป็น 2 ประเภทใหญ่ๆ คือ
๐ Static RAM (SRAM) ทำจากวงจรที่ใช้เก็บข้อมูลด้วยสถานะ “มีไฟ” กับ “ไม่มีไฟ” ซึ่งสามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ตลอดเวลาตราบเท่าที่ยังมีกระแสไฟฟ้าเลี้ยงวงจรอยู่ นิยมไปใช้ทำเป็นหน่วยความจำแคช (Cache) ภายในตัวซีพียู เพราะมีความเร็วในการทำงานสูงกว่า DRAM มาก แต่ไม่สามารถทำให้มีขนาดความจุสูงๆได้ เนื่องจากราคาแพงและกินกระแสไฟมากจนมักทำให้เกิดความร้อนสูง อีกทั้งวงจรก็ยังมีขนาดใหญ่ด้วย
๐ Dynamic RAM (DRAM) ทำจากวงจรที่ใช้การเก็บข้อมูลด้วยสถานะ “มีประจุ” กับ “ไม่มีประจุ” ซึ่งวิธีนี้จะใช้พลังงานไฟฟ้าน้อยกว่า SRAM มาก แต่โดยธรรมชาติแล้วประจุไฟฟ้าจะมีการรั่วไหลออกไปได้เรื่อยๆ ดังนั้นเพื่อให้ DRAM สามารถเก็บข้อมูลไว้ได้ตลอดเวลาตราบใดที่ยังมีกระแสไฟเลี้ยงวงจรอยู่ จึงต้องมีวงจรอีกส่วนหนึ่งคอยทำหน้าที่ “เติมประจุ” ไฟฟ้าให้เป็นระยะๆ ซึ่งเรียกกระบวนการเติมประจุไฟฟ้านี้ว่าการ รีเฟรช (Refresh) หน่วยความจำประเภท DRAM นี้ นิยมนำไปใช้ทำเป็นหน่วยความจำหลักของระบบในรูปแบบของชิปอที (Integrated Circuit) บนแผงโมดูลของหน่วยความจำ RAM หลากหลายชนิด เช่น SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 และ RDRAM เป็นต้น โดยสามารถออกแบบให้มีขนาดความจุสูงๆได้ กินไฟน้อย และไม่เกิดความร้อนสูง
ชนิดของแรมหรือ DRAM (ในปัจจุบัน)
DRAM ที่นำมาใช้ทำเป็นแผงหน่วยความจำหลักของระบบชนิดต่างๆ มีดังนี้
EDO RAM
คำว่า EDO ย่อมาจาก Extended Data-Out เป็น DRAM ที่ใช้ในเครื่องคอมพิวเตอร์รุ่นเก่าปัจจุบันได้ผลิตไปนานแล้ว
SDRAM (Synchronous DRAM)
ตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์ (Package) แบบ TSOP (Thin Small Outline Package) ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ DIMM (Dual Inline Memory Module) ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 2 ร่อง และมีจำนวนขาทั้งสิ้น 168 ขา ใช้แรงดันไฟ 3.3 โวลต์ ความเร็วบัสมีให้เลือกใช้ทั้งรุ่น PC-66 (66 MHz), PC-100 (100 MHz), PC-133 (133 MHz) และ PC-150 (150 MHz) ปัจจุบันได้หมดความนิยมไปแล้วจะได้พบก็แต่เพียงในคอมพิวเตอร์รุ่นเก่าๆเท่านั้น
ในยุคของ SDRAM ได้มีการเปลี่ยนแปลงวิธีการจำแนกรุ่นต่างๆจากเดิมที่เคยระบุเป็นค่าตัวเลข Access Time ว่ากี่ ns ไปเป็นการบอกความเร็วของบัสที่ใช้งานแทน เช่น 66,100 หรื 133 MHz หรือที่เรามักจะเห็นกันตามกันตามร้านขายอุปกรณ์ที่มักตะระบุข้อความว่าเป็น PC-66, PC-100 หรือ PC-133 นั่นเองและโดยมากมักจะทำออกมาเป็นแผงแบบ 168 Pin เพียงอย่างเดียว
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
ตัวชิปจะใช้ผลิตภัณฑ์แบบ TSOP เช่นเดียวกับ SDRAM และมีขนาดความยาวของแผงโมดูลเท่ากันคือ 5.25 นิ้ว ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ DIMM ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 1 ร่อง และมีจำนวนขาทั้งสิ้น 184 ขา ใช้แรงดันไฟ 2.5 โวลต์ รองรับความจุสูงสุดได้ 1 GB/แผง ความเร็วบัสในปัจจุบันมีให้เลือกใช้ตั้งแต่ 133 MHz (DDR-266) ไปจนถึง 350 MHz (DDR-700)
DDR-II SDRAM
ตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์แบบ FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) ที่มีความต้านทานไฟฟ้าต่ำกว่าแบบ TSOP อีกทั้งยังสามารถออกแบบให้ตัวชิปมีขนาดเล็กและบางลงได้ รวมทั้งการปรับปรุงประสิทธิภาพอีกหลายประการ เช่น การผนวกเอา ODT (On-Die Termination) เข้าไปไว้บนโมดูลของหน่วยความจำเพื่อลดสัญญาณรบกวน, การขยายสัญญาณเป็น 4-bit Prefetch, Additive Latency และ Enhanced Registers เป็นต้น รวมไปถึงจุดเด่นในเรื่องของการปรับลดการใช้พลังงานไฟฟ้าและการใช้ความถี่ที่สูงขึ้น
DDR-II SDRAM มีจำนวนขาสัญญาณทั้งสิ้น 240 Pin ซึ่งต่างจาก DDR SDRAM แบบเดิมที่มีเพียง 184 Pin เท่านั้น ดังนั้นจึงต้องใช้เมนบอร์ดที่สนับสนุนหน่วยความจำ DDR II โดยเฉพาะ ซึ่งปัจจุบันก็สามารถพบเห็นได้ทั่วไปทั้งในเครื่อง PC ที่ใช้ชิปเซ็ตของ Intel ในตระกูล Q9xx, P9xx, และ i9xx ทุกรุ่น (i915GL และ i910GL) ร่วมกับช็อคเก็ต LGA 775 และ PCI-Express เป็นต้น นอกจากนี้ยังใช้ชิปเซ็ตของ Intel สำหรับเครื่อง Notebook ในตระกูล i9xx ทุกรุ่นด้วย
DDR-III SDRAM
เป็นหน่วยความจำรุ่นล่าสุด โดยตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์แบบ FBGA เช่นเดียวกับ DDR2 และมีขนาดความยาวของแผงโมดูลเท่ากันคือ 5.25 นิ้ว ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ DIMM ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 1 ร่อง ซึ่งอยู่ในตำแหน่งที่ไม่ตรงกันกับของ DDR2 ทำให้ไม่สามารถเสียบแทนกันได้ และมีจำนวนขาทั้งสิ้น 240 ขา ใช้แรงดันไฟน้อยลงไปอีกเหลือเพียง 1.5 โวลต์ รองรับความจุสูงสุดได้มากถึง 4 GB ความเร็วบัสในปัจจุบันมีให้เลือกใช้ตั้งแต่ 400 MHz (DDR3-800) ไปถึง 533 MHz (DDR3-1066) และคาดว่าในเร็วๆนี้ยังอาจมีความเร็วสูงขึ้นไปอีกจนถึง 667 MHz (DDR3-1333) และ 800 MHz (DDR3-1600) ปัจจุบันหน่วยความจำแบบ DDR3 นี้เริ่มเห็นได้มากขึ้น โดยถูกนำมาใช้งานร่วมกับชิปเซ็ตรุ่นใหม่ๆของ Intel อย่าง Intel P35 Express เป็นต้น
RDRAM (Rambus DRAM)
ถูกพัฒนาขึ้นมาโดยบริษัท Rambus Inc. โดยถูกนำมาใช้งานครั้งแรกร่วมกับชิปเซ็ต i850 และซีพียู Pemtium 4 ของ Intel ในยุคเริ่มต้น ปัจจุบันไม่ค่อยได้รับความนิยมเท่าที่ควร โดยมีชิปเซ็ตและเมนบอร์ดของ Intel เพียงบางรุ่นเท่านั้นที่สนับสนุน ตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์แบบ CSP (Chip-Scale Package) ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ RIMM (Rambus Inline Memory Module) ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 2 ร่อง ใช้แรงดันไฟ 2.5 โวลต์ และรองรับความจุสูงสุดได้มากถึง 2 GB ปัจจุบัน RDRAM ที่มีวางขายตามท้องตลาด สามารถแบ่งออกเป็น 2 กลุ่ม คือ
๐ RDRAM (16 บิต) เป็น RDRAM แบบ Single Channel ที่มีความกว้างบัส 1 แชนแนล ขนาด 16 บิต
(2 ไบต์) มีจำนวนขาทั้งสิ้น 184 ขา การจำแนกรุ่นโดยมากมักจะจำแนกออกตามความเร็วบัสที่ใช้งาน
DRAM ที่นำมาใช้ทำเป็นแผงหน่วยความจำหลักของระบบชนิดต่างๆ มีดังนี้
EDO RAM
คำว่า EDO ย่อมาจาก Extended Data-Out เป็น DRAM ที่ใช้ในเครื่องคอมพิวเตอร์รุ่นเก่าปัจจุบันได้ผลิตไปนานแล้ว
SDRAM (Synchronous DRAM)
ตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์ (Package) แบบ TSOP (Thin Small Outline Package) ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ DIMM (Dual Inline Memory Module) ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 2 ร่อง และมีจำนวนขาทั้งสิ้น 168 ขา ใช้แรงดันไฟ 3.3 โวลต์ ความเร็วบัสมีให้เลือกใช้ทั้งรุ่น PC-66 (66 MHz), PC-100 (100 MHz), PC-133 (133 MHz) และ PC-150 (150 MHz) ปัจจุบันได้หมดความนิยมไปแล้วจะได้พบก็แต่เพียงในคอมพิวเตอร์รุ่นเก่าๆเท่านั้น
ในยุคของ SDRAM ได้มีการเปลี่ยนแปลงวิธีการจำแนกรุ่นต่างๆจากเดิมที่เคยระบุเป็นค่าตัวเลข Access Time ว่ากี่ ns ไปเป็นการบอกความเร็วของบัสที่ใช้งานแทน เช่น 66,100 หรื 133 MHz หรือที่เรามักจะเห็นกันตามกันตามร้านขายอุปกรณ์ที่มักตะระบุข้อความว่าเป็น PC-66, PC-100 หรือ PC-133 นั่นเองและโดยมากมักจะทำออกมาเป็นแผงแบบ 168 Pin เพียงอย่างเดียว
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM)
ตัวชิปจะใช้ผลิตภัณฑ์แบบ TSOP เช่นเดียวกับ SDRAM และมีขนาดความยาวของแผงโมดูลเท่ากันคือ 5.25 นิ้ว ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ DIMM ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 1 ร่อง และมีจำนวนขาทั้งสิ้น 184 ขา ใช้แรงดันไฟ 2.5 โวลต์ รองรับความจุสูงสุดได้ 1 GB/แผง ความเร็วบัสในปัจจุบันมีให้เลือกใช้ตั้งแต่ 133 MHz (DDR-266) ไปจนถึง 350 MHz (DDR-700)
DDR-II SDRAM
ตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์แบบ FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array) ที่มีความต้านทานไฟฟ้าต่ำกว่าแบบ TSOP อีกทั้งยังสามารถออกแบบให้ตัวชิปมีขนาดเล็กและบางลงได้ รวมทั้งการปรับปรุงประสิทธิภาพอีกหลายประการ เช่น การผนวกเอา ODT (On-Die Termination) เข้าไปไว้บนโมดูลของหน่วยความจำเพื่อลดสัญญาณรบกวน, การขยายสัญญาณเป็น 4-bit Prefetch, Additive Latency และ Enhanced Registers เป็นต้น รวมไปถึงจุดเด่นในเรื่องของการปรับลดการใช้พลังงานไฟฟ้าและการใช้ความถี่ที่สูงขึ้น
DDR-II SDRAM มีจำนวนขาสัญญาณทั้งสิ้น 240 Pin ซึ่งต่างจาก DDR SDRAM แบบเดิมที่มีเพียง 184 Pin เท่านั้น ดังนั้นจึงต้องใช้เมนบอร์ดที่สนับสนุนหน่วยความจำ DDR II โดยเฉพาะ ซึ่งปัจจุบันก็สามารถพบเห็นได้ทั่วไปทั้งในเครื่อง PC ที่ใช้ชิปเซ็ตของ Intel ในตระกูล Q9xx, P9xx, และ i9xx ทุกรุ่น (i915GL และ i910GL) ร่วมกับช็อคเก็ต LGA 775 และ PCI-Express เป็นต้น นอกจากนี้ยังใช้ชิปเซ็ตของ Intel สำหรับเครื่อง Notebook ในตระกูล i9xx ทุกรุ่นด้วย
DDR-III SDRAM
เป็นหน่วยความจำรุ่นล่าสุด โดยตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์แบบ FBGA เช่นเดียวกับ DDR2 และมีขนาดความยาวของแผงโมดูลเท่ากันคือ 5.25 นิ้ว ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ DIMM ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 1 ร่อง ซึ่งอยู่ในตำแหน่งที่ไม่ตรงกันกับของ DDR2 ทำให้ไม่สามารถเสียบแทนกันได้ และมีจำนวนขาทั้งสิ้น 240 ขา ใช้แรงดันไฟน้อยลงไปอีกเหลือเพียง 1.5 โวลต์ รองรับความจุสูงสุดได้มากถึง 4 GB ความเร็วบัสในปัจจุบันมีให้เลือกใช้ตั้งแต่ 400 MHz (DDR3-800) ไปถึง 533 MHz (DDR3-1066) และคาดว่าในเร็วๆนี้ยังอาจมีความเร็วสูงขึ้นไปอีกจนถึง 667 MHz (DDR3-1333) และ 800 MHz (DDR3-1600) ปัจจุบันหน่วยความจำแบบ DDR3 นี้เริ่มเห็นได้มากขึ้น โดยถูกนำมาใช้งานร่วมกับชิปเซ็ตรุ่นใหม่ๆของ Intel อย่าง Intel P35 Express เป็นต้น
RDRAM (Rambus DRAM)
ถูกพัฒนาขึ้นมาโดยบริษัท Rambus Inc. โดยถูกนำมาใช้งานครั้งแรกร่วมกับชิปเซ็ต i850 และซีพียู Pemtium 4 ของ Intel ในยุคเริ่มต้น ปัจจุบันไม่ค่อยได้รับความนิยมเท่าที่ควร โดยมีชิปเซ็ตและเมนบอร์ดของ Intel เพียงบางรุ่นเท่านั้นที่สนับสนุน ตัวชิปจะใช้บรรจุภัณฑ์แบบ CSP (Chip-Scale Package) ติดตั้งอยู่บนแผงโมดูลแบบ RIMM (Rambus Inline Memory Module) ที่มีร่องบากบริเวณแนวขาสัญญาณ 2 ร่อง ใช้แรงดันไฟ 2.5 โวลต์ และรองรับความจุสูงสุดได้มากถึง 2 GB ปัจจุบัน RDRAM ที่มีวางขายตามท้องตลาด สามารถแบ่งออกเป็น 2 กลุ่ม คือ
๐ RDRAM (16 บิต) เป็น RDRAM แบบ Single Channel ที่มีความกว้างบัส 1 แชนแนล ขนาด 16 บิต
(2 ไบต์) มีจำนวนขาทั้งสิ้น 184 ขา การจำแนกรุ่นโดยมากมักจะจำแนกออกตามความเร็วบัสที่ใช้งาน
ช่องสำหรับติดตั้งหน่วยความจำ ( Memory Slot)
ลักษณะของแผงหน่วยความจำแรม แต่ละชนิดจะมีขนาดความยาว จำนวนขา และตำแหน่งของร่องบากที่แตกต่างกันออกไป ดังนั้นจึงต้องออกแบบช่องเสียบแผงหน่วยความจำให้เป็นรูปแบบเฉพาะของแรมแต่ละชนิดที่จะนำมาใช้โดยสามมารถแยกออกตามจำนวนขา (Pin)
ลักษณะของแผงหน่วยความจำแรม แต่ละชนิดจะมีขนาดความยาว จำนวนขา และตำแหน่งของร่องบากที่แตกต่างกันออกไป ดังนั้นจึงต้องออกแบบช่องเสียบแผงหน่วยความจำให้เป็นรูปแบบเฉพาะของแรมแต่ละชนิดที่จะนำมาใช้โดยสามมารถแยกออกตามจำนวนขา (Pin)
- แบบ 30 Pin ใช้กับ
EDO RAM - แบบ 72 Pin ใช้กับ
EDO RAM - แบบ 168 Pin .ใช้กับ SD RAM
- แบบ 184 Pin ใช้กับ DDR-SDRAM
- แบบ 184 Pin ใช้กับ RDRAM
- แบบ 232 Pin ใช้กับ RDRAM
- แบบ 240 Pin ใช้กับ DDR2-SDRAM
ไม่มีความคิดเห็น:
แสดงความคิดเห็น